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第三代半導(dǎo)體迎來(lái)發(fā)展加速度,氮化鎵龍頭英諾賽科榮耀加冕!

2024-10-24 11:00 互聯(lián)網(wǎng)

  今年以來(lái),在新能源汽車(chē)、可再生能源等高速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展受到市場(chǎng)高度關(guān)注,以行業(yè)龍頭英諾賽科為的氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。

  近日,2024年度蘇州市重大科技成果轉(zhuǎn)化“揭榜掛帥”擬立項(xiàng)項(xiàng)目,蘇州擬立項(xiàng)27項(xiàng),位于吳江區(qū)的全球獨(dú)角獸企業(yè)英諾賽科上榜;此外,英諾賽科憑借在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和創(chuàng)新實(shí)力還入選了2024年江蘇獨(dú)角獸企業(yè)。

  據(jù)悉,作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司,目前英諾賽科已經(jīng)發(fā)展成為全球功率半導(dǎo)體革命的者,亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。

  相關(guān)資料顯示,英諾賽科成立于2017年,一直致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效于一體,建成全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與器件量產(chǎn)線(xiàn),建有江蘇省工程技術(shù)研究中心。

  按折算氮化鎵分立器件出貨量計(jì),英諾賽科于2023年在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一,市占率為42.4%;截至2023年12月31日,公司累計(jì)出貨量超過(guò)5億顆。

  在A(yíng)I技術(shù)的強(qiáng)勁推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷著前所未有的發(fā)展加速度,同時(shí),SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)這兩種材料也在A(yíng)I領(lǐng)域中逐漸嶄露頭角,各國(guó)企業(yè)都在積極布,以期在未來(lái)的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。

  此次英諾賽科承擔(dān)的蘇州市重大科技成果轉(zhuǎn)化“揭榜掛帥”項(xiàng)目為“面向數(shù)據(jù)中心高可靠8英寸硅基氮化鎵芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”,聚焦第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,突破8英寸Si基GaN外延、CMOS兼容制程及量產(chǎn)、GaN器件可靠性測(cè)試等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),為新一代大數(shù)據(jù)中心提供高效低能耗的解決方案,實(shí)現(xiàn)GaN高效綠色小體積服務(wù)器電源在數(shù)據(jù)中心的示范應(yīng)用。

  市重大科技成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目是蘇州市為推動(dòng)重大科技成果有效快速轉(zhuǎn)化而推出的。項(xiàng)目聚焦新能源、新一代信息技術(shù)、高端裝備、生物醫(yī)藥與醫(yī)療器械等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,加快推動(dòng)一批具有意義和引領(lǐng)作用的重大產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化,推動(dòng)創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈深度融合,加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力,為打造具有全球影響力的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新中心主承載區(qū)提供有力支撐。

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